nand flash 文章 進入nand flash技術(shù)社區(qū)
消息稱三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出,0a DRAM 采用 VCT 結(jié)構(gòu)
- 10 月 29 日消息,《韓國經(jīng)濟日報》當?shù)貢r間昨日表示,根據(jù)其掌握的最新三星半導體存儲路線圖,三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過 400,而預計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結(jié)構(gòu)。三星目前最先進的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm(12 納米級)DRAM。報道表示三星第 10 代(即下代) V-NAND 將被命名為 BV(Bonding Vertical) NAND,這是因為這代產(chǎn)品將調(diào)
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TrendForce:預計 Q4 NAND Flash 合約價將下調(diào) 3% 至 8%
- IT之家?10 月 15 日消息,根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新調(diào)查,NAND Flash 產(chǎn)品受 2024 年下半年旺季不旺影響,wafer 合約價于第三季率先下跌,預期第四季跌幅將擴大至 10% 以上。IT之家注意到,模組產(chǎn)品部分,除了 Enterprise SSD 因訂單動能支撐,有望于第四季小漲 0% 至 5%;PC SSD 及 UFS 因買家的終端產(chǎn)品銷售不如預期,采購策略更加保守。TrendForce 預估,第四季 NAND Flash 產(chǎn)品整體合約價將出現(xiàn)季減 3% 至
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三星電子開發(fā)出其首款基于第八代V-NAND的車載SSD
- 三星電子今日宣布成功開發(fā)其首款基于第八代V-NAND技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD。三星新款AM9C1車載SSD憑借行業(yè)前沿的速度和更高的可靠性,成為適配車載應用端側(cè)人工智能功能的解決方案。三星新款256GB AM9C1車載SSD相比前代產(chǎn)品AM991,能效提高約50%,順序讀寫速度分別高達4,400MB/s和400MB/s。三星半導體基于第八代V-NAND技術(shù)的車載SSD AM9C1三星電子副總裁兼存儲器事業(yè)部汽車業(yè)務(wù)負責人Hyunduk Cho表示:“我們正在與全球自動駕駛汽車廠商合作,為這些企業(yè)提
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三星首款!第八代V-NAND車載SSD發(fā)布:讀取4400MB/s
- 9月24日消息,今日,三星電子宣布成功開發(fā)其首款基于第八代V-NAND 技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。相比前代產(chǎn)品AM991,AM9C1能效提高約50%,順序讀寫速度分別高達4400MB/s和400MB/s。三星表示,AM9C1能滿足汽車半導體質(zhì)量標準AEC-Q1003的2級溫度測試標準,在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內(nèi)能保持穩(wěn)定運行。據(jù)介紹,AM9C1采用三星5nm主控,用戶可將TLC狀態(tài)切換至SLC模式,以此大幅提升讀寫速度。其中,讀取速度高達4700MB/s,寫入速度高達1
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2024二季度NAND Flash出貨增長放緩,AI SSD推動營收季增14%
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,由于Server(服務(wù)器)終端庫存調(diào)整接近尾聲,加上AI推動了大容量存儲產(chǎn)品需求,2024年第二季NAND Flash(閃存)價格持續(xù)上漲,但因為PC和智能手機廠商庫存偏高,導致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%,平均銷售單價上漲了15%,總營收達167.96億美元,較前一季增長了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應商已恢復盈利狀態(tài),并計劃在第三季擴大產(chǎn)能,以滿足AI和服務(wù)器的強勁需求,但由于PC和智能手機今年上半年市場表現(xiàn)不佳,
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TrendForce:今年 Q2 NAND 閃存出貨增長放緩,AI SSD 推動營收環(huán)比增長 14%
- IT之家 9 月 9 日消息,TrendForce 集邦咨詢今天下午發(fā)布報告指出,由于服務(wù)器終端庫存調(diào)整接近尾聲,加上 AI 推動了大容量存儲產(chǎn)品需求,今年第二季度 NAND Flash(閃存)價格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機廠商庫存偏高,導致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%,平均銷售單價上漲了 15%,總營收達 167.96 億美元(IT之家備注:當前約 1193.37 億元人民幣),較前一季實現(xiàn)環(huán)比增長 14.2%。各廠商營收情況如下:三星:第二季時積極回應客戶對
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第八代BiCS FLASH厲害在哪里?
- 第八代BiCS FLASH已然投入量產(chǎn),意味著基于BiCS FLASH的產(chǎn)品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升,特別是2Tb QLC NAND是當下業(yè)界內(nèi)最大容量的存儲器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制,鎧俠通過專有工藝和創(chuàng)新架構(gòu),實現(xiàn)了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡,所開發(fā)的CBA(CMOS directly Bonded to Array,外圍電路直接鍵合到存儲陣列)和3.6Gbps接口速度,給AI應用、數(shù)據(jù)中心、移動設(shè)備提供了更多潛在可能。技
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消息稱三星電子確認平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線投資,目標明年 6 月投運
- IT之家 8 月 12 日消息,韓媒 ETNews 報道稱,三星電子內(nèi)部已確認在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計劃,該產(chǎn)線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產(chǎn)中心,分為四期。在早前規(guī)劃中,一期為 NAND 閃存,二期為邏輯代工,三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備,但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內(nèi)存工藝,各家的 1c nm(或?qū)?1γ nm)產(chǎn)品目前均尚未正式
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1000層3D NAND Flash時代即將到來
- Lam Research 推出低溫蝕刻新技術(shù),為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
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存儲亮劍!NAND技術(shù)多點突破
- 人工智能(AI)市場持續(xù)火熱,新興應用對存儲芯片DRAM和NAND需求飆升的同時,也提出了新的要求。近日恰逢全球存儲會議FMS 2024(the Future of Memory and Storage)舉行,諸多存儲領(lǐng)域議題與前沿技術(shù)悉數(shù)亮相。其中TrendForce集邦咨詢四位資深分析師針對HBM、NAND、服務(wù)器等議題展開了深度討論,廓清存儲行業(yè)未來發(fā)展方向。此外,大會現(xiàn)場,NVM Express組織在會中發(fā)布了 NVMe 2.1 規(guī)范,進一步統(tǒng)一存儲架構(gòu)、簡化開發(fā)流程。另外包括Kioxia
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為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路,泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0
- IT之家 8 月 1 日消息,泛林集團 Lam Research 當?shù)貢r間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產(chǎn)品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示:Lam Cryo 3.0 為(我們的)客戶實現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產(chǎn),而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項突破。它能以埃米級精度創(chuàng)建高深寬比(IT之家注:High Aspect R
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消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā),400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒
- IT之家 8 月 1 日消息,韓媒 ETNews 報道稱,SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發(fā),計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準備,2026 年二季度正式啟動大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品,并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現(xiàn)量產(chǎn)?!?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法,SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年,明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注:從代際發(fā)布間隔
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消息稱 SK 海力士考慮推動 NAND 業(yè)務(wù)子公司 Solidigm 在美 IPO
- IT之家 7 月 29 日消息,綜合外媒《韓國經(jīng)濟日報》(Hankyung)與 Blocks & Files 報道,SK 海力士考慮推動 NAND 閃存與固態(tài)硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務(wù),而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購第一階段后成立的獨立美國子公司?!?Solidigm D5-P5336,E1.L 規(guī)格,61.44TB由于內(nèi)外部因素的共同影響,Sol
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長江存儲再度“亮劍”,在美國起訴美光侵犯其 11 項專利
- IT之家 7 月 22 日消息,據(jù)外媒 Tomshardware 報道,中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲,日前再次將美光告上法院,在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利,涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權(quán)的存儲產(chǎn)品,并支付專利使用費。長江存儲指控稱,美光的 96 層(B27A)、128 層(B37R)、176 層(B47R)和 232 層(B58R)3D NAND Flash,以及美光的一些 DDR5 SDRA
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為什么QLC可能是NAND閃存的絕唱?
- NAND 閃存已經(jīng)達到了一定的密度極限,無法再進一步擴展。
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nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]
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